英飞凌正式推出全新OptiMOS™7系列功率MOSFET，以“应用导向”创新思维重构产品设计逻辑，针对不同场景需求量身定制解决方案，不仅树立功率MOSFET技术新标杆，更将推动各行业功率转换系统迈入能效与性能双升级的新阶段。面向云端算力核心需求，OptiMOS™7开关优化型功率MOSFET专为未来数据中心、服务器及电信设备打造，为高负载电源管理注入“冷静基因”。该款产品针对硬开关与软开关拓扑进行专
英飞凌科技正式发布2025财年（截至9月30日）财报，全年业绩符合预期，同时明确2026财年将顶着汇率压力实现温和增长，核心发力AI电源领域，目标营收大幅提升。2025财年，英飞凌全年营收146.62亿欧元，同比下降2%；利润25.6亿欧元，利润率达17.5%，调整后每股收益1.39欧元。受收购Marvell汽车以太网业务影响，报告自由现金流为负10.51亿欧元，调整后自由现金流则达正18.03亿
基于TRENCHSTOP™IGBT7PrimePACK™的兆瓦级T型三电平桥臂模块组基于TRENCHSTOP™IGBT7的PrimePACK™1500V直流NPC2三电平桥臂IGBT模块组，风冷条件下系统功率1.8MW。产品描述：▪️FF1800R23IE7，FF1800R23IE7P1800A2300V半桥▪️FF2400RB12IP7，FF2400RB12IP7P2400A1200V共集电极双
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存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米
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11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU），并将在台积电的28纳米节点上制造。自第一个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前，市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术（eFlash）技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步，可以进
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存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（ResistiveRandomAccessMemory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米
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3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司与专注3DToF(飞行时间)系统领域的湃安德(pmd)合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。REAL3™I
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日前，英飞凌与知名物联网操作系统厂商睿赛德科技（RT-Thread）签署合作协议，成为RT-Thread开源共同体的金牌会员。英飞凌将以其在感知、计算、执行、连接、安全等物联网核心领域的技术专长，为RT-Thread生态圈内的开发者提供从产品到系统的应用创新解决方案。数字化推动智慧物联新时代数字化的浪潮，催生了各种智能应用及场景，将持续推升物联网发展动能。英飞凌自2020年完成对赛普拉斯的并购后，
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【2022年7月6日，德国慕尼黑讯】凭借其众多优点，三相无刷直流（BLDC）电机正在成为设计现代化电池供电型电机产品的首要选择。然而，为了让产品符合人体工学设计并延长电池的使用寿命，需要缩小产品的尺寸并减轻重量，这给产品设计带来了巨大挑战。为了帮助设计师满足终端市场的需求，英飞凌科技股份公司推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™IMD700A和IMD701A。它们采用9x9mm264引脚VQFN
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